[发明专利]基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110656652.0 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN113387319B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 商兴莲;凤瑞;周铭;宋金龙;周六辉 申请(专利权)人: 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 朱远枫
地址: 215163 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构及其制备方法,包括:封装管壳、粘胶、多通孔硅基板、ASIC电路芯片和MEMS结构芯片;多通孔硅基板上设置阵列式分布的若干通孔构成的多孔区域;ASIC电路芯片和MEMS结构芯片分别设置于多通孔硅基板的上表面并分别位于阵列式分布的通孔两侧,ASIC电路芯片和MEMS结构芯片与多通孔硅基板通过粘胶粘合;MEMS芯片的管脚与ASIC芯片的管脚通过金丝引线键合连接;粘接了EMS芯片和ASIC芯片的多通孔硅基板下表面粘胶固定在管壳底面,粘胶区域仅位于ASIC芯片投影的下方的硅基板底面区域内,多孔区域以及MEMS芯片投影下方的硅基板底面区域内没有粘胶;ASIC芯片管脚与管壳内腔管脚通过金丝引线键合。具有可释放机械应力、隔离ASIC温升等优点。
搜索关键词: 基于 多通孔硅基板 mems 芯片 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心,未经中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110656652.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top