[发明专利]一种采用阳极氧化后的纳米凹坑来诱导中高压阳极箔均匀腐蚀发孔的方法在审
| 申请号： | 202110658748.0 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113436891A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 彭宁;李永钊;徐桂仁;王盼 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | H01G9/055 | 分类号： | H01G9/055;H01G9/042;H01G9/045 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用阳极氧化后的纳米凹坑来诱导中高压阳极箔均匀腐蚀发孔的方法，涉及了铝电解电容器用中高压阳极铝箔的制造领域。本发明将表面不富集电极电位比铝高的Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素，纯度为99.99％，经充分退火后其{100}立方织构占有率超过95％的中高压阳极铝箔采用阳极氧化在铝箔表面生成有序多孔氧化铝膜；而后溶解氧化铝膜并暴露出铝箔基体上高度有序分布的纳米凹坑，利用该凹坑来调控铝箔腐蚀发孔时的隧道孔形核位置，可显著提高生成隧道孔的分布均匀性，降低隧道孔并孔，因而可以提高铝箔的比电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 阳极 氧化 纳米 凹坑来 诱导 高压 均匀 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
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