[发明专利]一种氮化铝模板的制备方法有效
申请号: | 202110659364.0 | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN113488564B | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 徐广源;蒋国文;樊怡翔;白城镇;常煜鹏 | 申请(专利权)人: | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/324;H01L21/02;H01L33/12 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 郝亮 |
地址: | 046000 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及一种氮化铝模板的制备方法,其包括以下步骤:(1)、在衬底的表面上溅射10~1000nm厚的氮化铝层;(2)、将表面溅射有氮化铝层的衬底进行高温退火处理;(3)、将经过高温退火处理后的表面溅射有氮化铝的衬底进行深冷处理;(4)、将深冷处理后的表面溅射有氮化铝的衬底升温至室温;(5)、将升温至室温的表面溅射有氮化铝的衬底进行低温退火处理;(6)、重复循环上述步骤(3)‑步骤(5)两到六次,得到最终的氮化铝模板。其可有效优化AlN和蓝宝石界面的应力状态,改善界面的结合性能,减小AlN的晶格应变,提高用此模板生长不同组分AlGaN的表面形貌和晶体质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 模板 制备 方法 | ||
【主权项】:
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