[发明专利]一种低压浮栅光电存储器及制备方法在审
申请号: | 202110659470.9 | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN113410385A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 姚建铨;张雅婷;李庆岩;王思磊;李腾腾;赵宏亮;唐新 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
主分类号: | H01L51/10 | 分类号: | H01L51/10;H01L51/05;H01L51/42;H01L51/48;H01L51/40 |
代理公司: | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人: | 王红培 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种低压浮栅光电存储器及制备方法,从下到上依次包括衬底、栅极电极、第一栅极介电层、第二栅极介电层、电荷存储层、半导体层和漏源电极。本发明溶液过程制备第一、第二栅极介电层和浮栅层,优点为成本低、易于加工、可大面积制造以及与柔性衬底兼容好;本发明器件的工作电压都不高于5 V。 | ||
搜索关键词: | 一种 低压 光电 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南方科技大学,未经南方科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110659470.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制备钙钛矿薄膜的方法及应用
- 下一篇:一种提高铸坯质量的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择