[发明专利]一种原胞结构非对称的栅控型功率器件及制备方法在审
| 申请号： | 202110659584.3 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113394280A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 龚大卫;刘杰;郑泽人;刘剑 | 申请（专利权）人： | 扬州国扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 225009 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原胞结构非对称的栅控型功率器件，包括N型衬底、位于N型衬底下方的P型收集极、设置于N型衬底上层的若干沟槽，沟槽中填充栅极多晶硅，栅极多晶硅顶部设置层间隔离层，层间隔离层上方设置发射极金属层，其特征在于，每个所述沟槽一侧设置Deep P区，沟槽另一侧设置P型井，P型井中设置重掺杂N型区，所述沟槽底部超过P型井，所述Deep P区覆盖沟槽底部且不完全覆盖。在积累区长度不变的前提下，保证了IGBT器件导通压降不变；而增加Deep P区包裹沟槽，形成假原胞结构，实现了米勒电容大幅减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 对称 栅控型 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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