[发明专利]一种优化边缘灵敏度的EIT传感器设计方法在审
| 申请号： | 202110660240.4 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113413149A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 施艳艳;田志威;付峰;杨滨;周怡敏;刘学超;李磊 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军空军军医大学 |
| 主分类号： | A61B5/0536 | 分类号： | A61B5/0536 |
| 代理公司： | 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 | 代理人： | 路宽 |
| 地址： | 710032 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种优化边缘灵敏度的EIT传感器设计方法，首先将n个电极放置在距患者双眉往上3cm的水平面上，并在前额中心与后枕中心各自放置一个电极作为固定电极，将其余电极以间隔弧长 |
||
| 搜索关键词： | 一种 优化 边缘 灵敏度 eit 传感器 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军空军军医大学，未经中国人民解放军空军军医大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110660240.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
