[发明专利]存储器阵列器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110660409.6 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113471357A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 尹煜峰;彭泰彦;张安胜;蔡瀚霆;傅强;林仲德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 存储器阵列器件包括：存储器单元阵列，位于衬底上方；存储器层级介电层，横向围绕存储器单元阵列；以及顶部互连金属线，沿水平方向横向延伸并且接触存储器单元内的相应行的顶部电极。平坦化存储器单元的顶部电极以提供与存储器层级介电层的顶面共面的顶面。顶部互连金属线不在包括存储器层级介电层的顶面的水平面下方延伸，并且防止顶部互连金属线和存储器单元的组件之间的电短路。本申请的实施例还涉及制造存储器阵列器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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