[发明专利]MEMS电容压力芯片及其制备方法、电容式压力传感器有效
| 申请号： | 202110660644.3 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113340517B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 王立会;刘云飞;周瑜;滕超;冯杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三研究所 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;B81B7/02 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 张然 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微机电系统MEMS电容压力芯片及其制备方法、电容式压力传感器，本发明在上极板及下极板上分别设置了感压膜和引压孔，通过双感压膜结构以及引压孔结构的设计，使得上、下极板会产生相同大小的形变，该形变引起电容变化是现有单感压膜的电容式压力传感器芯片的两倍，所以本发明芯片灵敏度也是现有电容压力传感器芯片的两倍，因此本发明可以有效提高电容式压力传感器灵敏度，从而解决了现有电容式压力传感器灵敏度低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | mems 电容 压力 芯片 及其 制备 方法 压力传感器 | ||
【主权项】：
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