[发明专利]纳米级硅材料及其制备方法、负极及锂离子电池有效

专利信息
申请号: 202110661513.7 申请日: 2021-06-15
公开(公告)号: CN113526509B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 路密;黄志巧 申请(专利权)人: 厦门理工学院
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;C01B33/023;H01M4/134;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 代理人: 黄巧香
地址: 361024 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种纳米级硅材料及其制备方法、负极及锂离子电池。所述纳米级硅材料的制备方法,包括:S1,提供硅酸钠溶液以及氯化铵溶液,其中,所述硅酸钠溶液以及所述氯化铵溶液分别为将硅酸钠以及氯化铵溶解于去离子水与乙醇的混合溶剂中形成;S2,将所述硅酸钠溶液与所述氯化铵溶液在高速搅拌过程中进行缓慢滴定,得到白色沉淀;S3,将所述白色沉淀通过乙醇洗涤后分离;S4,将分离后的白色沉淀烘干并在465~475℃高温反应得到SiO2;S5,将SiO2和Mg按照摩尔比1:1.05~1.2,在氮气保护下640~660℃完全反应;S6,将反应后的Mg和MgO溶解,并离心洗涤、干燥得到纳米级Si。
搜索关键词: 纳米 材料 及其 制备 方法 负极 锂离子电池
【主权项】:
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