[发明专利]一种YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110661631.8 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113594354A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 马嵩;张安琪;刘伟;张志东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法，所述YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜的制备方法为：提供GGG基底，并将该GGG基底置于真空系统中；利用脉冲激光沉积生长一YIG薄膜于该GGG基底表面；再利用分子束外延技术生长一SnTe薄膜于作为基底的YIG薄膜表面。利用本发明方法可制备出高质量的单晶外延铁磁/拓扑绝缘体异质结，可在300K时观察到反常霍尔效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 yig snte 异质结单晶 外延 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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