[发明专利]一种HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110662414.0 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113594035A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 姜涛 | 申请（专利权）人： | 乂馆信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 200080 上海市虹*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HEMT器件及其制备方法，制备方法包括：制备衬底结构；在所述帽层(5)上制备第一介质层(6)；光刻所述第一介质层(6)，然后刻蚀所述第一介质层(6)以形成第一开口(7)；在所述第一介质层(6)和所述第一开口(7)上制备第二介质层(8)，同时在所述第一开口(7)处形成第二开口(9)，所述第二开口(9)的下表面处于第一介质层(6)的上表面之下；刻蚀掉所述第二开口(9)处的所述第二介质层(8)，以将所述第二开口(9)转换为第三开口(10)；在所述第三开口(10)内制备栅电极(11)。本发明提出了一种HEMT器件及其制备方法，通过采用材料沉积的方式对采用光刻得到的栅电极宽度即沟道长度进一步的缩小，并制作形成倒凸字型栅极，以及与栅极金属同层的浮空金属场板，增强了器件栅极耐压特性和器件导通特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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