[发明专利]一种中空结构的Ni-Co-S纳米多面体材料及其制备与应用有效
| 申请号： | 202110663968.2 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113336279B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 徐锡金;李娜;渠广猛;张习习;赵顺顺 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;C01G53/11;H01M4/58;H01M10/36;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 苟铭 |
| 地址： | 250022 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体材料及其制备与应用，其中所述制备包括以ZIF‑67的Ni‑Co双金属氢氧化物的前驱体为原料，经硫化制得中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体的过程，其制备成本低、可简单便捷的制备出中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体。所得中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体材料具有良好的导电性及比电容保持率，特别适于用作自支撑电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 结构 ni co 纳米 多面体 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
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