[发明专利]一种基于III-V族化合物半导体工艺的宽带有源移相器有效
| 申请号： | 202110664157.4 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113452345B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈雪蕾;游飞;何倩;马明明;吴雯祺;秦荣兴;陈茵;王瑜 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H11/16 | 分类号： | H03H11/16 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种基于III‑V族化合物半导体工艺的宽带有源移相器，属于集成电路技术领域。该移相器提出偏置运算单元以解决III‑V族化合物半导体工艺无法应用经典移相器结构的问题，即吉尔伯特偏置运算单元通过CCVS单元将I/Q两路电流转换成晶体管基极电压，再通过VCCS单元控制晶体管作差运算转换得到数控电流叠加单元输出的I/Q电流比值关系，最后偏置电流控制单元完成对I/Q正交信号合成矢量的象限选择及模拟加法器的电流控制，实现了吉尔伯特单元尾电流的精准调控；并同时提出有源跨导‑结电容多相滤波(g |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 iii 化合物 半导体 工艺 宽带 有源 移相器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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