[发明专利]基于HfO2在审

专利信息
申请号: 202110664651.0 申请日: 2021-06-16
公开(公告)号: CN113571583A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 彭悦;韩根全;马煜;肖文武;刘艳;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/24
代理公司: 西安睿通知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61218 代理人: 包春菊
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明属于电子技术领域,公开了一种基于HfO2‑ZrO2超晶格铁电栅介质的晶体管及其制备方法,该晶体管包括:底电极、超晶格铁电栅介质层、金属氧化物沟道、源极、漏极、绝缘电介质薄膜、栅电极和衬底;其中,所述底电极、超晶格铁电栅介质层、金属氧化物沟道在衬底依次由下至上竖直分布;所述源极、漏极分布在所述金属氧化物沟道的两侧;所述绝缘电介质薄膜、栅电极在所述金属氧化物沟道上依次由下而上垂直分布;通过本发明的方法能够获得与现有集成工艺兼容、泄漏电流小、铁电性能优异、可靠性良好的金属氧化物晶体管器件。
搜索关键词: 基于 hfo base sub
【主权项】:
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