[发明专利]基于铁电的晶体管

摘要

本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及基于铁电的晶体管以及制造方法。基于铁电的晶体管包括：绝缘体上半导体衬底，其包括半导体材料、位于半导体材料下方的掩埋绝缘体层、以及位于半导体沟道材料下方的衬底材料；铁电电容器，其位于掩埋绝缘体层下方并包括底部电极、顶部电极和位于底部电极与顶部电极之间的铁电材料；栅极堆叠，其位于半导体材料之上；第一端子接触，其连接到铁电电容器的底部电极；以及第二端子接触，其连接到铁电电容器的顶部电极。