[发明专利]基于六巯基苯的带隙可调的MOFs电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202110668242.8 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113394078A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王帅;董俊杰;陈欣 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C25B11/04 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于六巯基苯的带隙可调的MOFs电极及其制备方法。本发明采用清洗干净的硅片作为基底，先依次旋涂牺牲层LOR3A和光刻胶S1813，随后用激光光刻机刻蚀后显影液清洗方法在硅片上刻出预先设计好的电极图案；将六巯基苯溶液和金属盐溶液分别放到两个电动气泵喷枪中，用喷枪交替向带有电极图案的硅片上均匀喷洒上述两种溶液，直至在电极位置生长出连续均匀的MOFs。电极制备完成后去除电极外的光刻胶，即得到MOFs电极。本发明制备的MOFs电极其载流子迁移率为σ=0.001~0.1cm |
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| 搜索关键词： | 基于 巯基 可调 mofs 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
