[发明专利]静态随机存取存储器单元结构及静态随机存取存储器在审

专利信息
申请号: 202110668464.X 申请日: 2021-06-16
公开(公告)号: CN113628649A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 肖韩;张奕涵;叶乐;黄如 申请(专利权)人: 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413;G11C16/34;G11C8/14;G11C7/18;G11C5/14
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 孔垂超
地址: 311200 浙江省杭州市萧*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了一种静态随机存取存储器单元结构,包括第一反相器、第二反相器、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管;第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端,第二反相器的输出端连接第一反相器的输入端;第三NMOS管的源极或漏极与第一反相器的输出端相连接;第四NMOS管的源极或漏极与第二反相器的输出端相连接;第五NMOS管的栅极与第二反相器的输出端相连接。本申请的静态随机存取存储器单元结构,具有栅端读出晶体管,能够将静态随机存取存储器单元结构的读操作和写操作完全去耦合,能够避免读操作时对存储数据干扰,提升了读操作能力,极大地提高了噪声裕度窗口,使静态随机存取存储器单元结构更适合低电压、低功耗的应用场景。
搜索关键词: 静态 随机存取存储器 单元 结构
【主权项】:
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