[发明专利]静态随机存取存储器单元结构及静态随机存取存储器在审
申请号: | 202110668464.X | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN113628649A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 肖韩;张奕涵;叶乐;黄如 | 申请(专利权)人: | 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413;G11C16/34;G11C8/14;G11C7/18;G11C5/14 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 孔垂超 |
地址: | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种静态随机存取存储器单元结构,包括第一反相器、第二反相器、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管;第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端,第二反相器的输出端连接第一反相器的输入端;第三NMOS管的源极或漏极与第一反相器的输出端相连接;第四NMOS管的源极或漏极与第二反相器的输出端相连接;第五NMOS管的栅极与第二反相器的输出端相连接。本申请的静态随机存取存储器单元结构,具有栅端读出晶体管,能够将静态随机存取存储器单元结构的读操作和写操作完全去耦合,能够避免读操作时对存储数据干扰,提升了读操作能力,极大地提高了噪声裕度窗口,使静态随机存取存储器单元结构更适合低电压、低功耗的应用场景。 | ||
搜索关键词: | 静态 随机存取存储器 单元 结构 | ||
【主权项】:
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