[发明专利]一种具有高抗偏移特性的混合IPT耦合器有效

专利信息
申请号: 202110668521.4 申请日: 2021-06-16
公开(公告)号: CN113314315B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 曲小慧;赵玮 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01F27/28 分类号: H01F27/28;H01F27/42;H02J50/10
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 何静
地址: 210024 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种具有高抗偏移特性的混合IPT耦合器,包括原边线圈LP、原边附加线圈LA、副边线圈LS、副边附加线圈LB、原边T型补偿网络和副边补偿电容CB,所述原边线圈LP的正极为混合IPT耦合器的原边输入正极,原边线圈LP的负极与原边T型补偿网络的输入端正极相连,原边T型补偿网络输入端负极为混合IPT耦合器的原边输入负极,原边T型补偿网络的输出端并联接在原边附加线圈LA上,副边补偿电容CB并联在副边附加线圈LB上,副边线圈LS的两端为混合IPT耦合器的副边输出端口。本发明混合IPT耦合器通过设计原边T型补偿网络结构来满足MPS、MAB和MSB的极性需要,对BP垫线圈互感参数设计要求不高,能够在较大的偏移量下,实现耦合器的等效自感和互感系数波动较小。
搜索关键词: 一种 具有 偏移 特性 混合 ipt 耦合器
【主权项】:
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