[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110671401.X | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113571493A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 叶菁馥;詹佑晨;骆冠宇;卢孟珮;彭兆贤;杨士亿;李明翰;李书玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置，包含嵌在第一金属化层中的互连结构，第一金属化层包含介电材料。互连结构包含第一金属材料。半导体装置包含嵌在第一金属化层中的第一衬垫结构。第一衬垫结构沿着第一金属化层中的互连结构的一或多个边界延伸。第一衬垫结构包含与一或多种掺质反应的第二金属材料，第二金属材料不同于第一金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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