[发明专利]一种碳化硅MOSFET开关过程分析方法在审
| 申请号： | 202110672337.7 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115496032A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李辉;钟其水;董明海;吴瀛喆 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51304 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MOSFET开关过程分析方法，所述方法利用双脉冲测试电路来进行分析，分析MOSFET开关过程中的漏极电流、漏源极电压和栅源极电压的变化趋势以及它们之间相互的关系，具体步骤包括碳化硅MOSFET开通过程、碳化硅MOSFET关断过程、非线性电容建模步骤和线性连续的空间状态方程离散化。碳化硅MOSFET的开关特性与系统的整体性能有着非常密切的关系，因此，通过本发明提出的碳化硅MOSFET开关过程分析方法，并在此基础上研究分析了碳化硅MOSFET的开关特性及其影响因素。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 开关 过程 分析 方法 | ||
【主权项】：
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