[发明专利]一种基于椭偏仪的原位薄膜性质参数实时表征方法在审
| 申请号： | 202110674841.0 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113483677A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨辽;沈川;陈路;何力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;G01B11/30;G01N21/21;G01M11/02 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于椭偏仪的原位薄膜性质参数实时表征方法。本发明的技术方案为：在薄膜生长过程中，实时测量同一性质参数有较大差别薄膜样品的椭偏参数ψ和Δ；通过拟合椭偏参数，获取上述薄膜样品的介电函数图谱；采用插值方法，建立以该性质参数为变量的光学常数函数库；用该光学常数函数库描述待测薄膜的光学性质，构建适于薄膜生长过程监测的在线椭偏拟合模型；使用在线椭偏拟合模型对薄膜生长过程中的椭偏参数进行实时拟合，从而获得生长过程中薄膜性质参数的实时表征与评价。本发明的优点在于为薄膜生长过程中纵向集成结构设计、性能参数实时表征和评价等问题提供解决方案，为复杂异质结制备技术的发展提供新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 椭偏仪 原位 薄膜 性质 参数 实时 表征 方法 | ||
【主权项】：
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