[发明专利]一种多层浮雕和岛膜结构的碳化硅压力传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110674899.5 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113465792B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;王鲁康;赵友;杨玉 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层浮雕和岛膜结构的碳化硅压力传感器芯片及其制备方法，该芯片结构包括从下到上依次堆叠的芯片基体、碳化硅浮雕层、绝缘浮雕层和金属浮雕层；其中的碳化硅浮雕层通过设置较窄的隔离沟道将碳化硅桥路浮雕层与碳化硅外框浮雕层和碳化硅内框浮雕层分隔开，绝缘浮雕层和金属浮雕层的结构均依托于该碳化硅浮雕层，绝缘浮雕层的结构和碳化硅浮雕层结构相同，金属浮雕层的结构和碳化硅桥路浮雕层的结构相同。绝缘浮雕层将碳化硅浮雕层和金属浮雕层在除接触口之外的区域全部进行绝缘电隔离，使电信号在指定的接触口内才能得以导通，然后通过接触点金属层实现与碳化硅桥路浮雕层的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 浮雕 膜结构 碳化硅 压力传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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