[发明专利]一种负载V/N掺杂纳米二氧化钛的HKUST-1/CNF复合膜的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202110677032.5 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113351174A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈子成;何向阳;张兰河;李正;张健;张海丰;樊光源;张慧雯 | 申请（专利权）人： | 东北电力大学 |
| 主分类号： | B01J20/24 | 分类号： | B01J20/24;B01J20/28;B01J20/30;B01J31/22;F24F8/167 |
| 代理公司： | 黑龙江立超同创知识产权代理有限责任公司 23217 | 代理人： | 杨立超 |
| 地址： | 132012 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
一种负载V/N掺杂纳米二氧化钛的HKUST‑1/CNF复合膜的制备方法及应用，它涉及环保材料技术领域，具体涉及一种掺杂型纳米二氧化钛的HKUST‑1/CNF复合膜的制备方法及应用。本发明的目的是要解决现有吸附材料吸附及降解甲醛的能力均较差的问题。制备方法：一、制备HKUST‑1/CNF复合膜；二、制备纳米V‑TiO |
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| 搜索关键词： | 一种 负载 掺杂 纳米 氧化 hkust cnf 复合 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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