[发明专利]一种筛选高熵合金成分的方法在审
| 申请号： | 202110678479.4 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113410131A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张勇;吴亚奇 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/34 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 李鹏 |
| 地址： | 100086*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种筛选高熵合金成分的方法，包括以下步骤：S1.设计光刻胶模板的图案；S2.通过光刻技术在基板表面制作模板图案的化学掩模版；S3.使用多靶共溅射在具有设计图案的化学掩模版的基板上沉积高熵薄膜；S4.表征高熵薄膜；S5.筛选出优异性能的高熵合金成分。本发明提升材料成分设计的效率节约成本：本发明的模板图案即可根据表征手段对样品的要求来设计，灵活性较强；提高筛选的精度，减小梯度密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 筛选 合金 成分 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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