[发明专利]谐振式双轴磁传感器及双轴磁传感器测试系统有效
| 申请号： | 202110678758.0 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113406541B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 林文魁;云小凡;张宝顺;曾中明;王笑怡 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01R33/10 | 分类号： | G01R33/10;G01R33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种谐振式双轴磁传感器及双轴磁传感器测试系统。所述谐振式双轴磁传感器包括ΔE效应敏感结构，所述ΔE效应敏感结构包括依次叠设的第一电极层、压电层和至少一FeGa/高k值材料复合磁性薄膜，所述FeGa/高k值材料复合磁性薄膜包括叠设的FeGa磁性薄膜层和高k值材料薄膜层，其中，至少一FeGa磁性薄膜层叠设在压电层上并作为第二电极层，所述FeGa磁性薄膜层具有(110)或(100)晶体学择优取向，在FeGa磁性薄膜层的面内和面外两个方向上均具有ΔE效应。本发明的谐振式双轴磁传感器利用复合磁性薄膜层中ΔE效应的面内、面外各向异性实现双轴磁场强度探测，具有谐振频率f和回波损耗S11两种读出方式，可以有效探测面内和面外的磁场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振 式双轴磁 传感器 双轴磁 测试 系统 | ||
【主权项】：
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