[发明专利]n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法在审
| 申请号： | 202110678790.9 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN113675261A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 殷红;刘彩云;李宇婧;高伟 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/207;H01L29/66;H01L29/808;H01L21/02;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 吕永齐 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅基底上制备氮化硼薄膜；采用共溅射手段，在位碳掺杂得到n型氮化硼薄膜；然后在n型氮化硼薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过对氮化硼薄膜进行在位碳掺杂，得到电学性能优异的n型电导层，较比于未掺杂、硅掺杂的氮化硼薄膜的电学性能有显著提升；获得了整流特性良好的pn结原型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 单晶硅 pn 原型 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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