[发明专利]闪存的制备方法

摘要

本发明提供了一种闪存的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括存储区和逻辑区，在所述基底上依次形成栅极材料复合层及介质层；刻蚀所述介质层及所述栅极材料复合层以在所述存储区中形成第一开口；在所述第一开口的侧壁上依次形成保护层及侧墙；在所述第一开口中填充字线栅层；去除所述逻辑区的基底上的介质层及栅极材料复合层，并在所述逻辑区的基底上形成逻辑栅层；去除剩余的所述介质层，并在所述存储区和所述逻辑区上顺形地形成图形化的硬质掩膜层，以所述图形化的硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述逻辑栅层以形成逻辑栅；以及，刻蚀去除所述图形化的硬质掩膜层；本发明提高了闪存的电性能。