[发明专利]一种发光二极管及半导体器件在审
| 申请号： | 202110680299.X | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN115498079A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 宋长伟;黄理承;郭园;展望;程志青;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 董艳芳 |
| 地址： | 223001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及半导体器件，发光二极管包括：衬底、在衬底上依次外延生长的缓冲层、N型氮化镓层、发光区缓冲层、第一发光层、第二发光层、电子阻挡层以及P型氮化镓层，其中，第二发光层包括一个或多个发光阱‑势垒对子层；发光区缓冲层的厚度为发光阱‑势垒对子层厚度的预设第一倍数；第一发光层的厚度为发光阱‑势垒对子层厚度的预设第二倍数，所述第二倍数小于第一倍数；电子阻挡层的厚度为发光阱‑势垒对子层厚度的预设第三倍数，所述第三倍数小于第一倍数。可以提高发光二极管的内部发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 半导体器件 | ||
【主权项】：
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