[发明专利]一种用于MPCVD腔体连接的法兰及MPCVD装置在审
申请号: | 202110681101.X | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113265649A | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 魏浩胤;曾凡初 | 申请(专利权)人: | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/511;F16J15/06;F16J15/10 |
代理公司: | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人: | 段盼姣 |
地址: | 410000 湖南省长沙市长沙高新开发区文轩路*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请涉及一种用于MPCVD腔体连接的法兰及MPCVD装置。法兰包括上法兰、下法兰、屏蔽条和密封圈;上法兰和下法兰配合,用于固定MPCVD腔体;下法兰上设有环状的开槽一,开槽一的宽度为以分隔板为介质,微波在介质中传输的半波长的整数倍,开槽一用于安装分隔板;下法兰上开槽一的槽底上设有开槽二和开槽三;开槽二和开槽三为同心的环状槽且开槽二的半径小于开槽三的半径;开槽二用于安装屏蔽条,开槽三用于安装密封圈。MPCVD装置包括法兰、上半腔体、下半腔体、分隔板、同轴传输段、同轴天线和生长台。本申请能够实现真空密封和微波屏蔽,减缓密封圈老化,防止微波打火烧毁密封圈,降低法兰对微波场的影响,防止打火和次生等离子的产生。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 mpcvd 连接 法兰 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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