[发明专利]晶片结构及薄膜覆晶封装结构在审

专利信息
申请号: 202110681459.2 申请日: 2021-06-18
公开(公告)号: CN115188727A 公开(公告)日: 2022-10-14
发明(设计)人: 沈弘哲 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L23/482 分类号: H01L23/482;H01L23/14
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 宋兴;黄健
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 提供一种晶片结构,包括半导体基材以及多个凸块。半导体基材具有有源面与设置于有源面的多个焊垫。凸块设置于焊垫上,且多个凸块沿着半导体基材的至少一边缘排列成多排。多个凸块包括多个第一凸块与多个第二凸块。多个第一凸块排列成第一排,多个第二凸块排列成第二排,第二排较第一排远离至少一边缘。第一凸块相对于有源面的高度与第二凸块相对于有源面的高度不相等。另提供一种薄膜覆晶封装结构。
搜索关键词: 晶片 结构 薄膜 封装
【主权项】:
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