[发明专利]一种基于聚噻吩的电池型电化学突触晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110682099.8 申请日: 2021-06-19
公开(公告)号: CN113410383B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 林宗琼;张晓;翁洁娜;郑昊;杨波;傅莉;黄维 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;G06N3/06
代理公司: 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 代理人: 刘新琼
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种基于聚噻吩的电池型电化学突触晶体管及其制备方法,属于有机半导体材料及器件技术领域。所述电池型电化学晶体管是以电化学晶体管及其双电层效应为基础,结合双离子电池的可逆氧化还原机理,以神经生物学中经典的Hodgkin‑Huxley模型为指导,在传统P型电化学晶体管基础上引入了N型聚合物半导体层,从而极大地稳定了P型聚合物中阴离子的掺杂浓度,同时也成功解决了由于载流子复合带来的导电态不稳定等诸多问题。该电池型器件在实现了稳定的阴/阳离子存储界面构筑的同时,阳离子存储层/电解质层/阴离子存储层分别对生物突触的三部分——突触前神经元/突触间隙/突触后神经元实现了深度模拟。
搜索关键词: 一种 基于 噻吩 电池 电化学 突触 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
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