[发明专利]一种片上器件特性的测试方法有效
| 申请号： | 202110682987.X | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113343472B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张雷;张卫东 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于电路去嵌入技术领域，涉及一种片上器件特性的测试方法。本发明测试方法，通过引入重心插值算法，建立了器件关于某一结构参数的参数化去嵌入模型。通过所建立的参数化去嵌入模型可快速得到不同结构参数取值下被试器件的散射参数，在少量测试次数下，实现被测器件在结构参数一定变化范围之内的特性，克服了传统TRL去嵌入效率低以及成本高的问题，极大地提高了被测器件在结构参数变化下的去嵌入效率，降低了测试成本。本发明方法特别适用于微波毫米波电路中片上器件特性的去嵌入测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 特性 测试 方法 | ||
【主权项】：
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