[发明专利]压电MEMS执行器及其形成方法和运行方法在审

专利信息
申请号: 202110683421.9 申请日: 2021-06-21
公开(公告)号: CN113709642A 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 张孟伦;孙晨 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H04R19/02 分类号: H04R19/02;B81B3/00;H01L41/09
代理公司: 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 代理人: 姜劲;谷惠敏
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种压电MEMS执行器,包括一个或多个执行单元,每个所述执行单元包括:硅薄膜;位于所述硅薄膜的第一表面的第一压电层和第一电极结构;位于所述硅薄膜的第二表面的第二压电层和第二电极结构。该压电MEMS执行器在硅薄膜的两侧分别设置压电层,能够使得提高执行器的驱动力,从而执行器获得更大的位移、力或者转角。
搜索关键词: 压电 mems 执行 及其 形成 方法 运行
【主权项】:
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