[发明专利]双面太阳能电池制作工艺在审
| 申请号： | 202110684636.2 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113421947A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 常宇峰;蒋红彬;缪强;高子翔;曲凯;杨恒春;李荣华;于亚春 | 申请（专利权）人： | 苏州潞能能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面太阳能电池制作工艺，包括如下步骤：S1，制绒；S2，扩散；S3，SE激光开槽；S4，前氧化；S5，去PSG；S6，碱抛；S7，后氧化；S8，背面钝化；S9，背面氮化硅；S10，正面氮化硅；S11，背面PERC激光；S12，丝网印刷；S13，烧结；其中，所述步骤S12包括：S121，背面电极印刷：在硅片背面印刷银浆；S122，烘干：对所述硅片进行烘干；S123，背面铝栅线印刷：使用双面铝浆在所述硅片背面印刷铝栅线；S124，烘干：对所述硅片进行烘干；S125，正面电极印刷：在所述硅片正面印刷银浆。本发明将传统的背面整面铝浆印刷改为背面铝栅线印刷，从而有效地解决双面电池正面转换效率低的问题，同时具备良好的双面率，提升电池组件的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 太阳能电池 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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