[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110685236.3 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113506745A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及鳍式场效应晶体管的制造方法，涉及半导体集成电路技术，通过使金属硅化物层仅包覆源区或漏区顶部表面及侧部表面的顶部部分，而使源区或漏区的侧部表面的底部部分被侧墙和接触刻蚀停止层保护而实现源区或漏区部分包覆结构，这样可以有效防止硅化物形成在源漏PN结上面，消除结漏电的风险，并增加了金属硅化物的面积，提高了晶体管的直流性能，并通过接触槽的底部仅接触部分金属硅化物层，减小了接触槽与栅极之间的寄生电容，从而提高半导体器件的交流性能，并在退火过程中第二层金属层在多晶硅和硅的界面处分凝而形成分凝金属层，可改变多晶硅的功函数，而得到较低的肖特基势垒高度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
