[发明专利]集成传感器芯片有效

专利信息
申请号: 202110685322.4 申请日: 2021-06-21
公开(公告)号: CN113607308B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 蔡春华;赵成龙;万蔡辛;何政达;蒋樱 申请(专利权)人: 上海韦尔半导体股份有限公司
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16;G01P15/09
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;张靖琳
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本公开提供了一种集成传感器芯片,其包括单晶硅基片,以及设置在单晶硅基片同一表面的加速度传感器和压力传感器,其中,该压力传感器通过谐振感测嵌入在该单晶硅基片内的密闭腔体内外气压不相等情形下,第一悬臂梁结构的弹性形变数据来测量压力;该加速度传感器包括嵌入在单晶硅基片内的运动空腔,以及贴合该运动空腔上部且位于单晶硅基片上表面的第二悬臂梁结构,该加速度传感器通过谐振感测惯性运动下第二悬臂梁结构的弹性形变数据来测量加速度。由此可提高集成传感器芯片的灵敏度,相比于传统的压阻式及电容测量方法,其精度更高,响应速度更快。
搜索关键词: 集成 传感器 芯片
【主权项】:
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