[发明专利]一种场电子发射阴极的制备方法有效
| 申请号： | 202110686254.3 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113628944B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张锦文;林晨 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304;H01J3/02 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 张晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场电子发射阴极的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；将形成有纳米晶金刚石薄膜的衬底在含氧气氛中退火，从而得到金刚石纳米毛刺结构；以及将所述金刚石纳米毛刺结构的表面处理为氢终端。本发明方法可制备具有纳米级密排结构的纳米晶金刚石薄膜，该薄膜生长速率快，并且利用该薄膜通过高选择比氧化反应可容易地获得大长径比、高密度的金刚石纳米毛刺结构，其可大大提高场增强因子。本发明方法中的高选择比的氧化反应使得金刚石消耗量小。另外，本发明方法无需图形化掩膜工艺，因此相关设备和工艺简单，可大大降低加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 发射 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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