[发明专利]一种压力传感器芯片和耐高压压力传感器及其制造方法有效
申请号: | 202110686445.X | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113551815B | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 许明;孙启民 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | G01L1/22 | 分类号: | G01L1/22 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种压力传感器芯片和耐高压压力传感器及其制造方法。该压力传感器芯片,其包括玻璃衬底、焊盘组件和硅压力应变器。焊盘组件设置在玻璃衬底上,包括第一焊盘和第二焊盘。两个硅压力应变器均安装在玻璃衬底上,且分别位于焊盘组件的两侧。硅压力应变器包括硅应变片和P型压阻片。硅应变片上并排安装有多条P型压阻片。相邻两条P型压阻片的相同端电连接,使得各条P型压阻片依次串联。两个硅压力应变器通过第一焊盘串联,并通过两个第二焊盘分别引出信号线。本发明利用玻璃耐高电压特性及其和硅键合后的稳定性,提高了压力传感器的耐高压性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 压力传感器 芯片 高压 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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