[发明专利]一种压力传感器芯片和耐高压压力传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202110686445.X 申请日: 2021-06-21
公开(公告)号: CN113551815B 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 许明;孙启民 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G01L1/22 分类号: G01L1/22
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 陈炜
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种压力传感器芯片和耐高压压力传感器及其制造方法。该压力传感器芯片,其包括玻璃衬底、焊盘组件和硅压力应变器。焊盘组件设置在玻璃衬底上,包括第一焊盘和第二焊盘。两个硅压力应变器均安装在玻璃衬底上,且分别位于焊盘组件的两侧。硅压力应变器包括硅应变片和P型压阻片。硅应变片上并排安装有多条P型压阻片。相邻两条P型压阻片的相同端电连接,使得各条P型压阻片依次串联。两个硅压力应变器通过第一焊盘串联,并通过两个第二焊盘分别引出信号线。本发明利用玻璃耐高电压特性及其和硅键合后的稳定性,提高了压力传感器的耐高压性能。
搜索关键词: 一种 压力传感器 芯片 高压 及其 制造 方法
【主权项】:
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