[发明专利]单层MoS2有效

专利信息
申请号: 202110686636.6 申请日: 2021-06-21
公开(公告)号: CN113644138B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 吕红亮;贾紫骥;孙佳乐;吕智军;张玉明;张义门 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/88 分类号: H01L29/88;H01L21/329;H01L29/267
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法,涉及半导体技术领域,该方法包括:提供第一衬底,并在第一衬底的一侧表面制备SiO2隔离区,得到第一衬底结构;获取第二衬底,第二衬底包括预先生长得到的单层MoS2;利用外延层转印技术,将单层MoS2转移至第一表面;图形化所述单层MoS2,形成单层MoS2沟道层;在第一表面淀积形成第一电极和第二电极,使第二电极与SiO2隔离区及单层MoS2沟道层直接接触,获得制作完成的单层MoS2‑Si基隧穿二极管。本发明提供的单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法能够降低界面缺陷密度,进而抑制陷阱辅助隧穿,并从工艺角度改善器件的亚阈值摆幅。
搜索关键词: 单层 mos base sub
【主权项】:
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