[发明专利]磁性模拟存储器在审
| 申请号： | 202110687578.9 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113314165A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 赖锜;赖寒枫 | 申请（专利权）人： | 量子新能技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 杨用玲 |
| 地址： | 中国香港九龙九龙湾*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明涉及数据存储技术领域，提供一种在固态存储器芯片上存储数据的新方法。它形成了一个平台，可以创建新的神经计算和人工智能架构。本发明存储器包括：感应层，用于信号的读/写一端口；隔离层，设置于感应层和储存层之间，用于对感应层和存储层进行绝缘；储存层，通过磁性可变电容Mcap与功能层耦合，以进行非易失性模拟存储；功能层与储存层耦合，用于通过时间常数的变化获得并传输信号至储存层；其中，当断电时，储存层的磁性不变以保留信号，进行非易失性模拟存储。此储存器架构定义为MCRAM，是一种非易失性存储器，通过本发明实现了低成本且兼备随机存储和非易失性模拟存储。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 模拟 存储器 | ||
【主权项】：
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