[发明专利]一种孤立钴原子掺杂单层或少层MoS2

摘要

本发明公开了一种孤立钴原子掺杂单层或少层MoS2催化剂的制备方法，以大量MoS2薄片构成的多层块状MoS2为原料，利用化学剥离法将其剥离为单层或少层MoS2，利用静置法配制钴络合物，利用水热溶剂法将上述钴络合物上的钴原子孤立的分散在上述单层或少层MoS2的表面上，得到所述孤立钴原子掺杂单层或少层MoS2催化剂。本发明不仅可大量制备出具有孤立钴原子掺杂的单层及少层MoS2，并且实验操作简单，可行性强，制备周期短，成本低等优点。