[发明专利]一种氮化镓高迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110688618.1 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113555428A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 童小东;邢利敏 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭浩辉;颜希文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种氮化镓高迁移率晶体管及其制备方法，其结构包括衬底；位于所述衬底上的多层半导体层；位于所述多层半导体层上的源极、漏极，以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述源极和所述栅极之间半导体层上的第一补偿层以及位于所述栅极和所述漏极之间半导体层上的第二补偿层，相对于现有技术，通过添加一层补偿层，消除漏端耗尽现象，提高器件工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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