[发明专利]一种倒台结构的脊波导激光器芯片制作方法

摘要

本发明涉及一种倒台结构的脊波导激光器芯片制作方法，包括，在外延片的表面生长SiO2层；利用RIE蚀刻SiO2层和InGaAs接触层，并形成两条具有所设定间距的沟槽，沟槽为直槽；利用RIE蚀刻沟槽底部的InGaAsP PQ层；使用第一蚀刻液蚀刻InGaAsP PQ层下方的InP空间层，并在两条沟槽之间形成直台结构的脊条，第一蚀刻液采用设定比例的HCl与H3PO4混合而成；在沟槽内加入第二蚀刻液，利用第二蚀刻液将直台结构的脊条蚀刻为倒台结构，第二蚀刻液采用设定比例的HBr与H3PO4混合而成；本方法，采用先蚀刻直台结构再蚀刻倒台结构的方式制作脊条，可以大大降低工艺难度和成本，不仅可以减少HBr的侵泡时间，避免蚀刻出锯齿形貌，有利于增强蚀刻效果、提高后续芯片的可靠性。