[发明专利]一种基于氧化镍的宽温域高精度温度传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110690804.9 申请日: 2021-06-22
公开(公告)号: CN113405688B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 邓元;吴思程;张珂;俞佳杰 申请(专利权)人: 北京航空航天大学杭州创新研究院
主分类号: G01K7/22 分类号: G01K7/22
代理公司: 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 代理人: 王金凤
地址: 310000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种基于氧化镍的宽温域高精度温度传感器及其制备方法,通过以氧化镍粉末、成膜剂、表面活性剂和溶剂进行适当配比制成氧化镍浆料,再将所述氧化镍浆料涂敷于基底上制成温度敏感层,之后在所述温度敏感层上制备电极,PDMS封装后,制得温度传感器;通过将高度分散的氧化镍浆料热固化成膜,使得所述温度传感器在宽温域内能够保持良好的稳定性和机械性能;再者,由于氧化镍拥有良好的负温度电阻效应,从而保证所述温度传感器具有高精度测温性能;本发明所述温度传感器能够实现150K‑470K的宽温域范围,同时兼具0.05K温差测量精度和超过5000K的热敏常数。所述温度传感器具有较好的柔韧性、机械强度和稳定性。
搜索关键词: 一种 基于 氧化 宽温域 高精度 温度传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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