[发明专利]垂直LED芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110691417.7 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113284990A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;张楠;陈朋;袁根如;马艳红 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法。制备方法包括步骤：提供生长衬底，形成外延层；于外延层中形成多个间隔分布的第一凹槽；于第一凹槽中形成第一N电极金属层；形成N电极绝缘层；形成P电极金属层以覆盖P型GaN层及N电极绝缘层；将P电极金属层与支撑衬底键合；去除生长衬底；于N型GaN层的表面形成表面绝缘层；于表面绝缘层中形成多个间隔分布的第二凹槽，第二凹槽显露出N型GaN层，第一凹槽和第二凹槽上下对应；形成第二N电极金属层，第二N电极金属层填充第二凹槽，且各第二凹槽内的第二N电极金属层相互电连接。本发明可以有效减少芯片击穿现象，减少绝缘层产生裂纹的现象，能显著减少芯片漏电现象，提高芯片的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 led 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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