[发明专利]一种碳化硅晶体、其使用的籽晶及籽晶的制备方法有效
| 申请号： | 202110691438.9 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113388888B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张宁;杨晓俐;李加林;刘星;高超;方帅;石志强;刘家朋 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 冯妙娜 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅晶体、其使用的籽晶及籽晶的制备方法，属于半导体材料技术领域。所述碳化硅籽晶包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述第一表面和/或所述第二表面具有多个原子台阶，所述原子台阶的宽度为50～1000nm，所述原子台阶的高度为0.02～0.5nm；多个所述原子台阶之间的宽度差不大于10nm；和/或多个所述原子台阶之间的高度差不大于0.01nm。该碳化硅籽晶的原子台阶均匀排列，且每个台阶的尺寸均一，为后续生长得到超高品质的晶体奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 使用 籽晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
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