[发明专利]改善外延片波长均匀性的石墨基板有效
申请号: | 202110691679.3 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113652667B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 葛永晖;梅劲;陈张笑雄;王慧 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/458;C30B25/12;C30B29/02;H01J37/32;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本公开提供了一种改善外延片波长均匀性的石墨基板,属于半导体技术领域。石墨基板包括多个子基板和连接轴,多个子基板的结构均相同,每个子基板均为扇形,多个子基板围绕连接轴的周向间隔布置,且多个子基板的一端均与连接轴连接;每个子基板的上表面均具有多个弧形区域,每个弧形区域内均具有用于容纳衬底的至少一个凹槽,且多个子基板上的同一弧形区域内的至少一个凹槽呈环形布置;从子基板的靠近连接轴的一端至子基板的远离连接轴的一端,每个弧形区域的厚度逐渐减小。在本公开提供的石墨基板上生长外延片,可以改善在石墨基板各凹槽内生长的外延片的波长均匀性。 | ||
搜索关键词: | 改善 外延 波长 均匀 石墨 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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