[发明专利]一种三维交叉点存储阵列的建模方法及模拟方法有效

专利信息
申请号: 202110692342.4 申请日: 2021-06-22
公开(公告)号: CN113468838B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 冯丹;童薇;刘景宁;汪承宁;吴兵 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G06F30/3308 分类号: G06F30/3308;G06K9/62
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 夏倩;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种三维交叉点存储阵列的建模方法及模拟方法,属于电子信息存储领域,包括:根据待模拟访问操作的行列地址提取存储阵列中包含所选单元和半选单元的关键存储层;对于写操作,裁剪各关键存储层中的未选单元,将所选字线和所选位线前端直接串联的线段合并,裁剪掉所选字线和所选位线后侧的零电流线段;对于读操作,将各关键存储层中每nGM个相邻的字线划分为一个字线组,对于不包含所选字线的字线组,利用电桥使位于同一位线上的单元并联,裁剪未选单元,将其中的字线合并为一条超级字线,将所选字线和所选位线前端直接串联的线段合并;根据压缩后的关键存储层建模。本发明能压缩存储阵列模型,减小访问操作模拟的内存空间和时间开销。
搜索关键词: 一种 三维 交叉点 存储 阵列 建模 方法 模拟
【主权项】:
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