[发明专利]复合终端结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110695000.8 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113314599B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁 | 申请（专利权）人： | 珠海市浩辰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种复合终端结构及其制备方法，该复合终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P‑型半导体VLD区的一侧面与P型半导体场限环的部分另一侧面共面，N+型半导体场限环的另一侧面与所述N‑型半导体漂移区的另一侧面齐平；P‑型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度小于P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；一个或间隔的多个第一场板，自P‑型半导体VLD区的上表面向外延伸，第一场板覆盖绝缘介质层的部分上表面并填充接触孔。相对于传统VLD终端，本申请可实现在高温下可靠性更好，不易受制造工艺线引入的表面固定电荷影响。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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