[发明专利]MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110695398.5 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113410297B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;苏雪冰;杨帅康;杨红姣;邓志勤 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/207;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管，包括从下而上依次层叠的硅衬底、AIN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层中设有凹槽，凹槽的槽底和槽壁上设有栅介质层，栅介质层底部对称设有两个栅极，靠近漏极的栅设有栅场板，两个栅极之间设有阻挡层，AlGaN势垒层上表面两侧分别设有源极和漏极，源极上设有源场板，源极和漏极之间设有钝化层。本发明的第二AlGaN势垒层和AlGaN缓冲层具有相同的铝组分，完全耗尽第一AlGaN势垒层与第二AlGaN势垒层之间的极化电荷，且凹槽栅底部正处于第二AlGaN势垒层之中，进而降低因刻蚀因素对器件阈值电压稳定性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | mis 分裂 gan 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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